乐山市京运通半导体材料有限公司取得降低单晶炉热场氧含量的保温筒专利，降低坩埚底部氧含量避免拉晶断线
2024-11-1977
金融界2024年11月7日消息，国家知识产权局信息显示，乐山市京运通半导体材料有限公司取得一项名为“一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒”的专利，授权公告号CN221956237U，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒，从上至下依次包括上保温筒、中保温筒和下保温筒，所述中保温筒和下保温筒的内径分别小于上保温筒，所述中保温筒和下保温筒向圆心方向延伸形成第一平台和第二平台，所述第一平台和第二平台分别设有安装槽，所述安装槽内部装配有导热块。本实用新型降低坩埚底部的氧含量，避免拉晶过程中出现断线，提高单晶品质。实现对传输的热量进行保温，提高保温效果，节约能源。
本文源自金融界
