京东方华灿光电苏州申请发光二极管芯片及其制备方法专利，能够有效的提升发光二极管芯片的光效
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金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号CN118782707A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二
极管芯片及其制备方法，属于电子器
件领域。该发光二极管芯片包括：外延
层、电流阻挡层、电极和电极线；电流
阻挡层位于外延层的一面；电极和电
极线位于电流阻挡层背向外延层的一
面，电极线的第一端与电极相连，电极
线的第二端背离电极延伸，沿电极线
的延伸方向，电极线的宽度逐渐减小。
本文源自金融界
