旺宏电子申请存储器元件及其制造方法专利，可实现存储器元件的高效制造
2025-04-1639
金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其制造方法”的专利，公开号CN118829227A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本公开是一种存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括：在基底上的第一互连结构、第二互连结构、堆叠结构、停止层以及多个通道柱结构。所述堆叠结构位于所述第一互连结构与所述第二互连结构之间。所述停止层位于所述堆叠结构与所述第二互连结构之间。每个通道柱结构包括通道柱、第一通道插塞以及第二通道插塞。所述通道柱延伸穿过所述堆叠结构与所述停止层。所述第一通道插塞，位于所述通道柱的第一端，与所述第一互连结构连接。所述第二通道插塞，位于所述通道柱的第二端，与所述第二互连结构连接。所述第二通道插塞的底面比所述停止层的底面接近所述基底。
本文源自金融界
