上海华力申请局部工艺热点的修正方法及系统专利，显著消除不易处理的工艺热点

金融界2024年10月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“局部工艺热点的修正方法及系统”的专利，公开号CN118818882A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种局部工艺热点的修正方法及系统，属于半导体光刻技术领域，该局部工艺热点的修正方法，包括工艺热点在版图的当前层中：待修正的目标图形周围布置有环境图形，环境图形背离目标图形的一侧若存在OPC修正裕量，则移动部分的环境图形，若不存在则修改环境图形的形状，以增大环境图形与目标图形之间的间距；工艺热点在版图的金属层之间：修改至少一金属层的位置和/或尺寸；在消除工艺热点后，对全局版图进行OPC修正。通过考虑OPC修正裕量，来移动环境图形或者修改环境图形来扩大修正面积方法，协同局部版图对金属层间的工艺热点进行修正，显著消除不易处理的工艺热点，扩大光刻工艺窗口，提升OPC的修正效果。

本文源自金融界